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检索条件："关键词=n^+-n-n^+ "

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Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟: 《Journal of Semiconductors》1983年第4期321-333,共13页王守武郑一阳郗小林张进昌; 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时...; 关键词：The TRANSFORMATIONS between stationary and TRANSIT DOMAINS in a GUNN device which has n^+-n-n^+ SANDWICH structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.When th

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