基于GaN AlGaN的半导体光电探测器及其现状研究  

作　　者：叶心妍 

机构地区：[1]台州市双语高级中学,浙江 台州 318000

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业B》2018年第12期00178-00178,共1页

摘　　要：III族氮化物半导体是由二元(GaN,AlN,InN),三元(InGaN,Al-GaN,InAlN)和四元(InAlGaN)材料组成的族系。从目前对第三代半导体材料和器件的研究来看,相对成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN,而对其他第三代半导体材料如ZnO,金刚石和氮化铝的研究仍处于发展阶段2。

关 键 词：GAN ALGAN 半导体 光电探测器 

分 类 号：TQ133.51[化学工程—无机化工] TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]