半导体物理中PN结相关问题的探讨  

作　　者：张冬利 

机构地区：[1]苏州大学电子信息学院,江苏苏州215006

出　　处：《时代教育（中旬）》2021年第4期0239-0241,0243,共4页

摘　　要：内建电势差是 PN 结的一个重要参数,对于其形成机制以及计算方法在半导体物理相关的教材中都会讲到。但是 PN 的结内建电势差却不能用电压表测量出来,这让很多半导体物理学习者感到困扰。本文就 PN 内建电势差等相关问题进行了深入探讨,解释了 PN 结中内建电势差无法用电压表测量以及具有内建电势差的 PN 结无法作为电源为电路元件提供电流的原因。

关 键 词：PN结 费米能级 内建电势差 半导体 施主杂质 受主杂质 

分 类 号：G4[文化科学—教育学]