施主杂质

作品数：48被引量：44H指数：4
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半导体物理中PN结相关问题的探讨
《时代教育（中旬）》2021年第4期0239-0241,0243,共4页张冬利 
内建电势差是 PN 结的一个重要参数,对于其形成机制以及计算方法在半导体物理相关的教材中都会讲到。但是 PN 的结内建电势差却不能用电压表测量出来,这让很多半导体物理学习者感到困扰。本文就 PN 内建电势差等相关问题进行了深入探讨...
关键词：PN结 费米能级 内建电势差 半导体 施主杂质 受主杂质 
压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2019年第2期140-146,共7页雷莉萍 石磊 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(11364028);内蒙古自然科学基金重大项目资助(2013ZD02);内蒙古"草原英才"工程资助项目
采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分...
关键词：量子点-量子阱 施主杂质 受主杂质 结合能 流体静压力 
圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质态的电场效应
《唐山学院学报》2017年第3期18-22,共5页何浩 王广新 
河北省教育厅青年基金项目(QN2015050)
在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增...
关键词：圆柱形GaAs/AlxGa1-xAs 量子环 电场效应 施主杂质 束缚能 
圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应被引量：1
《河北联合大学学报（自然科学版）》2016年第3期-,共6页王广新 
河北省科技计划项目(12210617)
在有效质量近似理论下,利用变分法,计算了外磁场下圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质基态束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(内径、外径、高度)、杂质位置以及磁场强度间的变化规律。结果表明:施主杂质束缚能随着量子环内径的增...
关键词：量子环 磁场 束缚能 
施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响被引量：1
《半导体技术》2016年第4期302-307,318,共7页陆晓东 赵洋 王泽来 张鹏 吴元庆 张宇峰 周涛 
国家自然科学基金资助项目(11304020);辽宁省教育厅一般项目(L2012401)
单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离...
关键词：单晶硅 少子 施主杂质 俘获截面 阈值 
用多晶硅标准规范行业发展被引量：2
《中国有色金属》2015年第16期44-47,共4页杨素心 
随着近几年光伏行业经历跌宕起伏的发展,原材料太阳能级多晶硅经历了从突飞猛进的发展到产业资源的从新整合。自2013年年底光伏市场转暖,多晶硅生产厂家纷纷复产甚至扩产,而作为产品生产贸易的基础依据——多晶硅标准该如何配合产业政...
关键词：电子级 多晶硅生产 纯度要求 产业资源 三氯氢硅 生产贸易 信息产业 行业经历 施主杂质 四氯化硅 
施主杂质量子点的光折射率
《广西民族大学学报（自然科学版）》2014年第4期81-84,共4页黄锦胜 陈国贵 
揭阳职业技术学院重点资助项目(JYCKZ1301)
利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了杂质量子点由1 S态跃迁到1 P态的光折射率改变量,并对杂质的电荷量不同的杂质量子点的结果进行分析.
关键词：施主杂质 抛物量子点 密度矩阵方法 光折射率改变量 
多晶硅材料制备中施主杂质磷的模拟计算研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2013年第3期105-108,共4页宋东明 谢刚 马卓煌 陈丽娟 张艺 侯彦青 
多晶硅是主要功能半导体材料。磷作为主要施主杂质,其含量直接影响多晶硅的半导体性能。多晶硅制备普遍采用改良西门子工艺,在密闭、复杂的动态工艺系统中,磷存在的化合物、含量及转化,无法实际有效掌握、但又非常重要;利用Aspen plus...
关键词：施主杂质 模拟计算 改良西门子法 多晶硅 尾气回收 氢化炉 精馏 解析塔 
椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率(英文)
《广州大学学报（自然科学版）》2013年第2期10-14,共5页解文方 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(11074055)
在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量...
关键词：施主杂质 量子点 半导体 
激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响被引量：1
《河南师范大学学报（自然科学版）》2013年第2期53-56,共4页候文秀 危书义 夏从新 
国家自然科学基金(60906044);河南省自然科学基金(102300410100)
利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束...
关键词：激光场 温度 施主杂质 
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