基于405nm LED光源DMD无掩模光刻SU-8的特征尺寸研究  

作　　者：陈启明 宋显文 傅仁轩 周金运[2] 胡益铭 

机构地区：[1]广东工贸职业技术学院机电工程学院,广东广州510550 [2]广东工业大学,广东广州510006

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业A》2023年第4期166-169,共4页

基　　金：SupportedbyGuangzhouScienceandTechnologyPlanningProject(广州市科技计划项目,No.202102021302),FoundationforHigh-LevelTalentsinHigherEducationofGDPIC(广东工贸高层次人才专项基金,No.2021-gc-03,2021-gc-04)。

摘　　要：SU-8光刻胶具有良好的机械性能、耐化学腐蚀性和高的热稳定性,已成为制作高纵横比聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片阳模的首选材料。本文突破了SU-8光致抗蚀剂在365 nm-400 nm波长范围内感光区的限制,通过多次曝光积累曝光强度,达到SU-8光阻的曝光强度。我们介绍了一种使用DMD数字无掩模光刻的倾斜扫描在相同位置重复曝光(ISPRE)来制造SU-8模具的方法。与传统方法的不同之处在于,所提出的具有405 nm紫外(UV)发光二极管(LED)的曝光光源不是大多数制造工艺使用波长为365nm的高功率UV光源。在本实验中,讨论了SU-8光刻胶的不同特征尺寸。结果表明,该方法可以得到最小5 µm特征尺寸的SU-8模具。

关 键 词：SU-8 PDMS DMD 无掩模光刻 特征尺寸 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]