光栅制备工艺探究  

作　　者：刘婷婷 张奇 郝腾 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》2023年第6期1-5,共5页

摘　　要：通过理论推导得到了不同形貌光栅的耦合系数公式,得出光栅不同物理参数对激光器耦合系数的影响,为器件的优化提供了理论支撑。采用全息光刻方法和干法刻蚀工艺在GaInP/InGaAsP体系中制备出了刻蚀倾角陡直、表面粗糙度低的光栅图形。全息光刻后的光栅占空比约0.5,通过优化CH4/H2/Ar的气体配比有效提升了刻蚀选择比,保证了刻蚀后光栅的占空比。同时降低RF功率,降低了刻蚀速率,提升了工艺的稳定性和重复性。

关 键 词：光栅 全息光刻 干法刻蚀 占空比 

分 类 号：TN92[电子电信—通信与信息系统]