掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性  

THE PREPARATION AND PROPERTIES FOR ANTIMONY-DOPED Zn-Sn-O FILMS

作　　者：黄树来[1,2] 马瑾[1] 盖凌云[2,3] 姜永超[2] 计峰[1] 马洪磊[1] 余旭浒[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]莱阳农学院理学院,莱阳265200 [3]石油大学资源与信息学院

出　　处：《太阳能学报》2005年第5期626-630,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276044)教育部科学技术研究重点项目资助(重点02165)

摘　　要：采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。Polycrystalline Sn-Zn-O:Sb films were prepared on corning 7059 glass substrates at low-temperature by r. f. magnetron sputtering. The structure, electrical and optical properties of the deposited films have been studied with various annealing temperatures. The resistivity of the antimony-doped Sn-Zn-O film is 1.5×10-2Ω·cm, the carrier concentration is 8.0×1019cm-3 and hall mobility 5.8cm ·v-1 ·s-1 . The average transmittance in the visible region reaches 85%.

关 键 词：磁控溅射 Zn-Sn-O:Sb膜 光电性质 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]