余旭浒

作品数：11被引量：80H指数：5
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供职机构：山东大学物理学院更多>>
发文主题：磁控溅射透明导电膜ZNO:GA光致发光SNO更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《功能材料》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《稀有金属》更多>>
所获基金：教育部科学技术研究重点项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响被引量：6
《稀有金属材料与工程》2005年第11期1747-1750,共4页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对...
关键词：射频磁控溅射法 SnO2:Sb薄膜 光致发光 
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量：7
《稀有金属材料与工程》2005年第7期1166-1168,共3页马瑾 余旭浒 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在...
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 真空退火 
掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性被引量：1
《太阳能学报》2005年第5期626-630,共5页黄树来 马瑾 盖凌云 姜永超 计峰 马洪磊 余旭浒 
国家自然科学基金资助项目(60276044)教育部科学技术研究重点项目资助(重点02165)
采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm...
关键词：磁控溅射 Zn-Sn-O:Sb膜 光电性质 
SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第5期922-926,共5页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 
国家自然科学基金(批准号:90401004);教育部科学技术研究(批准号:02165)资助项目~~
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发...
关键词：SnO2:Sb薄膜 射频磁控溅射 光致发光 
薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量：37
《功能材料》2005年第2期241-243,共3页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍...
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 薄膜厚度 光电性质 
射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性被引量：15
《Journal of Semiconductors》2005年第2期314-318,共5页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 王翠英 马洪磊 
国家自然科学基金(批准号:6027044);博士点基金(批准号:20020422056)资助项目~~
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 ....
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 
射频磁控溅射法制备SnO_2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究被引量：10
《物理学报》2005年第4期1731-1735,共5页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 
国家自然科学基金 (批准号 :90 40 10 0 4);教育部科学技术研究重点项目 (批准号 :0 2 165 )资助的课题~~
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡 (SnO2 :Sb)薄膜 .制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄 ,晶粒生长的择优取向为 [110 ].室温下光致发光测量结果表明 ,在 392nm附近存在强的紫外 紫光发射 .研究了不同...
关键词：二氧化锡 锑薄膜 结构特征 光致发光 射频磁控溅射 
磁控溅射有机衬底ZnO∶SnO_2透明导电膜的结构和光电特性被引量：2
《功能材料》2004年第5期630-631,634,共3页黄树来 马瑾 计峰 余旭浒 王玉恒 马洪磊 
教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
　采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜。研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω·cm,可见光平均透过...
关键词：有机衬底 ZnO:SnO薄膜 磁控溅射 
Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质被引量：1
《稀有金属》2004年第3期519-521,共3页马瑾 黄树来 计峰 余旭浒 王玉恒 马洪磊 
国家自然科学基金资助项目 ( 60 2 70 44 ) ;教育部科学技术研究重点项目 ( 0 2 165 )
采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备...
关键词：透明导电膜 Zn-Sn-O 射频磁控溅射 
ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
《功能材料》2004年第z1期1131-1133,共3页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最...
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 
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