ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究  

Preparation and characterization of ZnO:Ga films prepared by r.f. magnetron sputtering at low temperature

作　　者：余旭浒[1] 马瑾[1] 计峰[1] 王玉恒[1] 宗福建[1] 张锡健[1] 程传福[1] 马洪磊[1] 

机构地区：[1]山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东师范大学,物理系,山东,济南,250014 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1131-1133,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)

摘　　要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.

关 键 词：磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] TN304.055