射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性  

Properties of Transparent Conducting ZnO∶Ga Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

作　　者：余旭浒[1] 马瑾[1] 计峰[1] 王玉恒[1] 王翠英[2] 马洪磊[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]泰山医学院物理实验室,泰安271000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第2期314-318,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:6027044);博士点基金(批准号:20020422056)资助项目~~

摘　　要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .Gallium doped zinc oxide (ZnO∶Ga) films were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering at room temperature.The structural,electrical,and optical properties of the ZnO∶Ga films were investigated in terms of the preparation conditions.The obtained films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and preferentially oriented in the (002) crystallographic direction in the ZnO grains.The transmittance of the ZnO∶Ga films in the visible range is over 90%.The lowest resistivity of 3 9×10 -4Ω·cm and the lowest sheet resistance of 4 6Ω/□ are obtained for these ZnO∶Ga films.

关 键 词：磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]