基于硅基PZT微力传感器标定系统的初步研究  

Preliminary Study of Calibration System Based on Silicon PZT Microsensor

作　　者：崔岩[1] 佟建华[1] 董维杰[1] 王立鼎[1] 

机构地区：[1]大连理工大学,大连,116023 大连理工大学,大连,116023 大连理工大学,大连,116023 大连理工大学,大连,116023

出　　处：《中国机械工程》2005年第z1期372-374,共3页China Mechanical Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207003,50305001)

摘　　要：采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现.PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si<100>上用溶胶-凝胶法制备,然后在600℃下退火.PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现.

关 键 词：PZT薄膜 微力传感器 标定 双晶片 

分 类 号：TH703.65[机械工程—仪器科学与技术]