宽范围高对准精度纳米压印样机的研制  

A Nanoimprint Lithography Prototype with Wide Working Range and High Precision Alignment

作　　者：范细秋[1] 张鸿海[1] 胡晓峰[1] 贾可[1] 刘胜[1] 

机构地区：[1]华中科技大学,武汉,430074 华中科技大学,武汉,430074 华中科技大学,武汉,430074 华中科技大学,武汉,430074 华中科技大学,武汉,430074

出　　处：《中国机械工程》2005年第z1期64-67,共4页China Mechanical Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50475137);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040487026)

摘　　要：传统的光学光刻技术由于受光波波长和数值孔径等因素的限制难于制作特征尺度小于100nm的图案.与传统光刻相比,纳米压印光刻的分辨率不受光的衍射和散射等因素的限制,可突破传统光刻工艺的分辨率极限,因而被认为是一种获得100nm以下图案较好的下一代方法.介绍了自行研制的具有高定位和对准精度的纳米压印样机.利用该样机压印出的纳米级光栅、微凸点阵列、微透镜阵列等纳米结构和微器件的图形质量均匀性良好.该工艺为实现低成本、大批量复制纳米结构创造了条件,在半导体集成电路、微光学、生物和化学分析等微纳结构和器件的制作中有着广泛的应用前景.

关 键 词：纳米压印光刻 对准 莫尔干涉法 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]