MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试  

Characteristic measurement of PZT piezoelectric thick-film by screen printing with compatible process with MEMS

作　　者：王蔚[1] 刘晓为[1] 兰慕杰[1] 霍明学[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001

出　　处：《光学精密工程》2004年第z1期72-75,共4页Optics and Precision Engineering

基　　金：哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助项目(HIT.MD2001.01)

摘　　要：丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.

关 键 词：PZT 压电厚膜 丝网印刷 MEMS 

分 类 号：TH166[机械工程—机械制造及自动化]