深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究  

The Research of Deep Submicron FD-SOI MOSFET Parameter Extraction

作　　者：高勇[1] 冯松[1] 杨媛[1] 

机构地区：[1]西安理工大学电子工程系,西安710048

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期133-137,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514)

摘　　要：基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。In this paper the methodology to extract model parameters of deep submicron FD-SOI MOSFET,is researched based on BSIM.A new method to extract model parameters with ISE TCAD is proposed,it has simple computation and highly efficiency,and does not require to build an complex modeling.Therefore,it can be conveniently used.The circuit including the extracted model parameters is simulated with HSPICE resulted in good agreement between simulated and experimental data,which proves effectiveness and practicability ...

关 键 词：深亚微米 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 参数提取 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]