1mm SiC多指栅微波功率器件  

1mm SiC Multi-Finger Gate Microwave Power Device

作　　者：陈刚[1] 钱伟[1] 陈斌[1] 柏松[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京,210016 南京电子器件研究所,南京,210016 南京电子器件研究所,南京,210016 南京电子器件研究所,南京,210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期419-421,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.

关 键 词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]