陈斌

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：SIC场效应管宽禁带半导体金属半导体场效应管微波器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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1mm SiC多指栅微波功率器件
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期419-421,共3页陈刚 钱伟 陈斌 柏松 
研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 
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