磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化  

Magnetic Field Optimization of a Reactive Ion Etching Device with Magnetic Containment

作　　者：敬小成[1] 姚若河[1] 林玉树[1] 

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640 华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640 华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期422-425,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：广东省重大科技专项基金资助项目(批准号:A1100501)

摘　　要：应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.

关 键 词：反应离子蚀刻 磁约束 等离子体装置 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]