非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性  

Space-Charge-Limited Current Properties of Amorphous GaN Thin Films

作　　者：张振兴[1] 谢二庆[1] 潘孝军[1] 贾璐[1] 韩卫华[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期113-116,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.

关 键 词：非晶 GAN 空间电荷限制电流 缺陷 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]