Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光  

CMP and Electrochemical Characterization of Ge2Sb2Te5 Film in Polishing Slurry

作　　者：刘奇斌[1,2] 张楷亮[1] 王良咏[1] 宋志棠[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期161-164,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海-应用材料科技合作共同计划(批准号:AM基金0414),中国博士后科学基金(批准号:2005037522),上海市科委项目(批准号:0552nm043,05JC14076,05R214156,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ220217)和美国SST公司资助项目

摘　　要：从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.

关 键 词：Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]