刘奇斌

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：化学机械抛光湿法刻蚀相变材料相变存储器电子束曝光更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性
《功能材料与器件学报》2007年第2期145-149,共5页刘奇斌 宋志棠 吴良才 封松林 
中国科学院资助项目(No.Y2005027);上海市科委项目(No.0452nm012;04DZ05612;04ZR14154;04JC14080;05JC14076;AM0414;05nm05043;AM0517)资助.
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧...
关键词：Ge纳米晶 高k介质 C-V曲线 
Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期161-164,共4页刘奇斌 张楷亮 王良咏 宋志棠 封松林 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海-应用材料科技合作共同计划(批准号:AM基金0414),中国博士后科学基金(批准号:2005037522),上海市科委项目(批准号:0552nm043,05JC14076,05R214156,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ220217)和美国SST公司资助项目
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛...
关键词：Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学 
Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si_3N_4 as a Buried Insulator
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1722-1726,共5页刘奇斌 林青 刘卫丽 封松林 宋志棠 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302720,2004AA302G20);上海纳米技术促进中心(批准号:0352nm016)资助项目~~
In order to minimize the self-heating effect of the classic SOI devices,SOI structures with Si3 N4 film as a buried insulator （SOSN） are successfully formed using epitaxial layer transfer technology for the first ti...
关键词：Si3 N4 new SOI structures self-heating effects 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部