云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 林青

林青: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：汉城大学更多>>; 发文主题：FABRICATIONSIN4INSULATORBURIED更多>>; 发文领域：一般工业技术更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>

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Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si_3N_4 as a Buried Insulator: 《Journal of Semiconductors》2005年第9期1722-1726,共5页刘奇斌林青刘卫丽封松林宋志棠; 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302720,2004AA302G20);上海纳米技术促进中心(批准号:0352nm016)资助项目~~; In order to minimize the self-heating effect of the classic SOI devices,SOI structures with Si3 N4 film as a buried insulator （SOSN） are successfully formed using epitaxial layer transfer technology for the first ti...; 关键词：Si3 N4 new SOI structures self-heating effects