快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响  

Effect of Rapid Thermal Process on Oxygen Precipitates in Heavily As-Doped Wafer

作　　者：孙世龙[1] 刘彩池[1] 郝秋艳[1] 滕晓云[1] 赵丽伟[1] 赵彦桥[1] 王立建[1] 石义情[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期165-168,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60076001),河北省自然科学基金(批准号:E2005000057)和河北省教育厅(批准号:2004311)资助项目

摘　　要：对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.

关 键 词：重掺As硅片 快速热处理 氧沉淀 清洁区 

分 类 号：TN304.1+2[电子电信—物理电子学]