应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析  

High Resolution X-Ray Diffraction and Reciprocal Lattice Mapping of Strained-Si/SiGe on SOI

作　　者：马通达[1,2] 屠海令[1] 邵贝羚[2] 刘安生[2] 胡广勇[2] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,北京100088 [2]北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京100088

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期175-178,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50502008)

摘　　要：运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

关 键 词：TAD-DCD RLM 应变SI 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]