直流大电压下 GaN HEMT电流崩塌效应探索  

A Research on Current Collapse of GaN HEMTs Under DC High Voltage

作　　者：龙飞[1] 杜江锋[1] 罗谦[1] 周伟[1] 夏建新[1] 杨谟华[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期227-230,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到GaN缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电子气,从而导致电流崩塌效应.该模型描述了电流崩塌效应与缓冲层中陷阱的相互关系,并获得了电流崩塌前后迁移率与二维电子气浓度乘积的归一化值.该结果可望用于GaN HEMT器件进一步的理论探讨和实验研究.

关 键 词：电流崩塌效应 GA NHEMT 陷阱 物理模型 

分 类 号：TN302[电子电信—物理电子学]