薄栅CMOS的可靠性模型  

Reliability Model of Thin Oxide CMOS

作　　者：廖京宁[1] 郭春生[1] 刘鹏飞[1] 吴月花[1] 李志国[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期257-261,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型.

关 键 词：TDDB 热载流子 热阻 结温 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]