集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法  

Device Structure and Fabricating Method for SOI LIGBT/LDMOS Integrated with Anti-ESD Diode

作　　者：张海鹏[1] 汪沁[1] 孙玲玲[1] 高明煜[1] 李文钧[1] 吕幼华[1] 刘国华[1] 汪洁[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 浙江万里学院计算机科学与信息学院,宁波,315100 杭州电子科技大学电子信息学院IC CAD研究所,杭州,310018 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 杭州电子科技大学电子信息学院IC CAD研究所,杭州,310018 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期279-282,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60306003)及浙江省自然科学基金(批准号:y104599)资助项目

摘　　要：为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.

关 键 词：ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]