云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 吕幼华

吕幼华: 作品数：1被引量：5H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：杭州电子科技大学更多>>; 发文主题：二极管抗ESD互连线静电损伤短路点更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：浙江省自然科学基金更多>>

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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期279-282,共4页张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁; 国家自然科学基金(批准号:60306003)及浙江省自然科学基金(批准号:y104599)资助项目; 为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件...; 关键词：ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构工艺 PIC