ZnO同质p-n结的研究  

Research of ZnO Homojeneous p-n Junction

作　　者：杨晓杰[1] 许小亮 谢家纯[1] 徐传明[1,3] 徐军[1] 刘洪图[1] 

机构地区：[1]中国科技大学物理系,合肥230026 [2]中国科学院中国科技大学结构分析重点实验室,合肥230026 [3]中国科技大学精密机械与精密仪器系,合肥230027

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期101-104,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学资金(No.50472008)和安徽省人才开发基金(No.2003Z021)和安徽省高新技术基金(No.04022001)资助的课题

摘　　要：调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.

关 键 词：ZNO薄膜 同质 P-N结 P型 

分 类 号：TN304.2+1[电子电信—物理电子学] O475[理学—半导体物理] O432.1+2[理学—物理]