化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征  

Homoepitaxial Growth and Properties of 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition

作　　者：高欣[1] 孙国胜[1] 李晋闽[1] 赵万顺[1] 王雷[1] 张永兴[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 兰州大学物理学院,兰州,730000 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期70-73,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.在低温PL谱中,对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品,在1.8～2.4eV范围内出现很宽的谱峰.而在该样品的Raman谱中,也观察到了典型的3C-SiC的特征峰,表明该样品含有立方相SiC的混晶,这与PL谱获得的结果相吻合.

关 键 词：碳化硅 化学气相沉积 RAMAN PL 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]