低能离子束方法制备Mn-Si薄膜  

Mn-Si Films Fabricated by Low Energy Ion Beam Deposition

作　　者：刘力锋[1] 陈诺夫[1,2] 柴春林[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期94-97,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60176001和60390072),国家重大基础研究发展计划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目

摘　　要：采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.

关 键 词：低能离子束 硅 锰 X射线衍射 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]