RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜  

High Rate Deposition of Device Quality Microcrystalline Si Transition Regime Films Using RF-PECVD

作　　者：周炳卿[1,2] 朱美芳[1] 刘丰珍[1] 刘金龙[1] 谷锦华[1] 张群芳[1] 李国华[3] 丁琨[3] 

机构地区：[1]中国科学院研究生院物理系,北京100039 [2]内蒙古师范大学物理系,呼和浩特010022 [3]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期98-101,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2000028208)

摘　　要：利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.

关 键 词：微晶硅薄膜 PECVD 高速沉积 

分 类 号：TN304.1+2[电子电信—物理电子学]