GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析  

Analysis on Abnormal I-V Curves of GaAs/Ge Solar Cells

作　　者：涂洁磊[1,2] 王亮兴[1] 张忠卫[1] 池卫英[1] 彭冬生[1] 陈超奇[1] 

机构地区：[1]上海空间电源研究所,上海200233 [2]云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期192-195,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:ZM200002B01)

摘　　要：分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.

关 键 词：GAAS/GE太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]