池卫英

作品数：11被引量：67H指数：3
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供职机构：上海空间电源研究所更多>>
发文主题：太阳电池GAAS/GE太阳电池阵叠层太阳电池GAAS/GE太阳电池更多>>
发文领域：电气工程航空宇航科学技术电子电信动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊：《稀有金属》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
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空间用三结砷化镓太阳电池激光划片技术研究被引量：3
《太阳能学报》2018年第5期1297-1301,共5页仇恒抗 苏宝法 池卫英 陆剑峰 贾巍 
上海市科学技术委员会资助项目(13ZR1457800)
以空间用三结砷化镓太阳电池激光划片为研究对象,对激光光源、功率、脉冲频率、划片速度等参数进行试验研究。研究结果表明：选用功率4 W、频率120 k Hz的355 nm紫外激光光源,采用50 mm/s的切割速度,对三结砷化镓太阳电池有良好的划片效...
关键词：三结砷化镓 太阳电池 激光划片 工程应用 
LEO太阳电池一次放电模型研究被引量：2
《航天器环境工程》2017年第2期156-161,共6页全荣辉 池卫英 贾巍 方美华 黄三玻 
南京航空航天大学青年科技创新基金(编号:NS2014089)
空间等离子体作用下,太阳电池一次放电是诱发二次放电的主要原因。目前缺乏适合工程应用的一次放电快速评估模型。文章借鉴辉光放电理论,针对太阳电池三联点结构提出一次放电一维简化模型,用于评估太阳电池设计对放电脉冲强弱的影响。...
关键词：一次放电 太阳电池 表面充电 气体放电 仿真分析 
LEO原子氧剥蚀太阳电池阵Ag互连材料的试验研究被引量：1
《航天器环境工程》2015年第3期286-290,共5页仇恒抗 杨琴 朱亚雄 刘智 贾巍 池卫英 陆剑锋 
国家国防科工局长寿命可靠性项目
暴露在低地球轨道(LEO)上的太阳电池阵,会与大量具有极强氧化性的原子氧发生碰撞,导致太阳电池阵中对氧原子敏感的Ag互连材料受到剥蚀。文章依据原子氧剥蚀Ag材料的机理,选取了约400 km高度轨道上1年时间内原子氧的累积通量作为最高剂量...
关键词：低地球轨道 原子氧剥蚀 Ag互连材料 厚度损失 
火星尘埃对太阳电池阵的影响与电帘除尘研究被引量：2
《深空探测学报》2014年第4期303-307,共5页贾巍 倪家伟 黄三玻 宗魏 肖杰 王训春 池卫英 
上海市科学技术委员会自然科学基金资助项目(13ZR1457800;12170700500)
火星表面大量尘埃在太阳电池阵表面的累积将会导致其输出功率下降,甚至使太阳电池阵功能失效。近年来,电帘除尘方法被认为是在火星着陆任务中进行尘埃防护最有效的手段之一。本文开展了火星尘埃累积对三结砷化镓太阳电池性能影响的实验...
关键词：三结砷化镓太阳电池 火星尘埃 电帘除尘 
三结砷化镓太阳电池干法刻蚀技术研究被引量：3
《贵州大学学报（自然科学版）》2014年第4期52-56,共5页王训春 苏宝法 贾巍 徐建文 姜德鹏 池卫英 雷刚 
上海自然科学基金项目(13ZR1457800;12170700500)
通过采用Cl2/BCl3/Ar作为刻蚀气体对三结砷化镓太阳电池隔离槽干法刻蚀工艺进行研究。针对单参数对刻蚀速率及刻蚀形貌的研究,摸索出最优工艺参数。研究结果表明采用合适的工艺参数,可以实现隔离槽一次刻蚀,并且干法刻蚀技术制备的二极...
关键词：砷化镓 太阳电池 旁路二极管 干法刻蚀 
GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期192-195,共4页涂洁磊 王亮兴 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:ZM200002B01)
分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核...
关键词：GAAS/GE太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散 
GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期196-199,共4页王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01)
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提...
关键词：Ge太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 
p-n型GaInP_2/GaAs叠层太阳电池研究被引量：11
《物理学报》2004年第11期3632-3636,共5页陈鸣波 崔容强 王亮兴 张忠卫 陆剑峰 池卫英 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :ZM2 0 0 0 0 2B0 1)资助的课题~~
报道了对p n型GaInP2 GaAs叠层太阳电池的研究结果 .采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品 .通过对GaInP2 顶电池中场助收集效应的计算机模拟 ,提出用p+ p- n- n+ 结构取代常用的p+ n结构 ,显著改善了GaInP2 顶电池和Ga...
关键词：叠层 金属有机物化学气相沉积 太阳电池 低压 光伏 性能 计算机模拟 光电转换效率 改善 取代 
aAs/Ge太阳电池界面特性研究
《稀有金属》2004年第3期505-507,共3页王亮兴 张忠卫 池卫英 陆剑峰 陈鸣波 
采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOVPE)工艺 ,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池 ,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区 ,导致电池性能严重下降 ,而Ga和As的扩散 ,常常导致异常Ⅳ曲线 ;在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和...
关键词：太阳电池 GAAS/GE 界面 
空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究被引量：2
《稀有金属》2004年第3期508-510,共3页陆剑峰 张忠卫 池卫英 王亮兴 陈鸣波 彭冬生 
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果。采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极 ,栅线宽度小于 15 μm ,厚度在 5 μm以上 ;采用NH4 OH/H2 O2 选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层 ;采用真空蒸发制备TiO2 /SiO2 双层减反射膜 ,电...
关键词：太阳电池 GAAS/GE 器件工艺 
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