GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池  

High Efficiency Ge Bottom Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell

作　　者：王亮兴[1] 涂洁磊[1] 张忠卫[1] 池卫英[1] 彭冬生[1] 陈超奇[1] 陈鸣波[1] 

机构地区：[1]上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233 上海空间电源研究所,上海,200233

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期196-199,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01)

摘　　要：从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.

关 键 词：Ge太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 

分 类 号：TK514[动力工程及工程热物理—热能工程]