彭冬生

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：上海空间电源研究所更多>>
发文主题：GAAS/GE太阳电池叠层太阳电池GAAS/GE太阳电池I-V特性更多>>
发文领域：动力工程及工程热物理电子电信电气工程更多>>
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GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期192-195,共4页涂洁磊 王亮兴 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:ZM200002B01)
分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核...
关键词：GAAS/GE太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散 
GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期196-199,共4页王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01)
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提...
关键词：Ge太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 
空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究被引量：2
《稀有金属》2004年第3期508-510,共3页陆剑峰 张忠卫 池卫英 王亮兴 陈鸣波 彭冬生 
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果。采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极 ,栅线宽度小于 15 μm ,厚度在 5 μm以上 ;采用NH4 OH/H2 O2 选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层 ;采用真空蒸发制备TiO2 /SiO2 双层减反射膜 ,电...
关键词：太阳电池 GAAS/GE 器件工艺 
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