30GHz PHEMT振荡器  

30GHz PHEMT Oscillator

作　　者：吴阿慧[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期252-255,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.

关 键 词：VCO PHEMT MATRK模型 谐波平衡分析 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]