吴阿慧

作品数：4被引量：7H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：内匹配超大功率PHEMT高隔离度微波器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《通讯世界》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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X波段高效率GaAs内匹配功率管研制被引量：1
《通讯世界》2020年第5期13-14,共2页银军 李剑锋 余若祺 张博闻 吴阿慧 
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,以此为基础设计多枝节阻抗变化器,将阻抗逐步匹配...
关键词：Ga As 内匹配 X波段 功率 高效率 
S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究被引量：6
《微纳电子技术》2013年第2期78-80,94,共4页刘桢 吴洪江 斛彦生 吴阿慧 银军 张志国 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB320206)
基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 功率合成 大功率 阻抗 
14.5～15GHz 11W内匹配功率器件
《半导体技术》2011年第3期190-193,共4页康建磊 杨克武 吴洪江 吴阿慧 
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路...
关键词：GAAS PHEMT 内匹配 高频器件 输入阻抗 输出阻抗 
30GHz PHEMT振荡器
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期252-255,共4页吴阿慧 
介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完...
关键词：VCO PHEMT MATRK模型 谐波平衡分析 
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