康建磊

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14.5～15GHz 11W内匹配功率器件
《半导体技术》2011年第3期190-193,共4页康建磊 杨克武 吴洪江 吴阿慧 
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路...
关键词：GAAS PHEMT 内匹配 高频器件 输入阻抗 输出阻抗 
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