X波段高效率GaAs内匹配功率管研制  

作　　者：银军[1] 李剑锋[1] 余若祺[1] 张博闻[1] 吴阿慧[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2020年第5期13-14,共2页Telecom World

摘　　要：本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,以此为基础设计多枝节阻抗变化器,将阻抗逐步匹配至50Ω,实现宽带阻抗匹配。设计并实现了工作频率8.9 GHz^10.1 GHz,输出功率大于35 W,功率增益大于7.5 d B,功率附加效率大于40%的Ga As内匹配功率管,具有广阔的应用前景。

关 键 词：Ga As 内匹配 X波段 功率 高效率 

分 类 号：TN722.7[电子电信—电路与系统]