李剑锋

作品数:8被引量:10H指数:2
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:内匹配X波段GAN大功率超大功率更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《通讯世界》更多>>
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一种X波段大功率固态功率放大器的设计与实现
《通讯世界》2024年第7期54-56,共3页牛海君 银军 李剑锋 
目前,固态功率放大器广泛应用于电子通信领域,并朝着大功率、小体积的方向发展。为满足人们对大功率固态功率放大器的需求,介绍了一种X波段大功率固态功率放大器的设计思路,提出大功率固态功率放大器的设计方案,并依据设计方案,对其进...
关键词:GAN 波导 大功率 功率合成 
4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制
《通讯世界》2024年第6期52-54,共3页李剑锋 银军 余若祺 斛彦生 王毅 梁青 倪涛 
基于中国电子科技集团公司第十三研究所0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺平台研制的高压大栅宽芯片,设计了一款4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器,分别进行了管芯设计、大信号模型...
关键词:GAN 超宽带 内匹配 功率放大器 
X波段GaN千瓦级功率放大器的设计被引量:2
《固体电子学研究与进展》2023年第4期296-301,共6页斛彦生 黄旭 王毅 李剑锋 倪涛 银军 郭艳敏 
为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管...
关键词:大功率 GaN HEMT X波段 内匹配 功率合成 
X波段高效率GaAs内匹配功率管研制被引量:1
《通讯世界》2020年第5期13-14,共2页银军 李剑锋 余若祺 张博闻 吴阿慧 
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,以此为基础设计多枝节阻抗变化器,将阻抗逐步匹配...
关键词:Ga As 内匹配 X波段 功率 高效率 
X波段1000W大功率内匹配功率器件研制被引量:2
《通讯世界》2019年第6期1-2,共2页李剑锋 银军 余若祺 梁青 默江辉 黄雒光 
一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用...
关键词:GAN 高功率 高效率 内匹配 功率放大器 X波段 KW 
X波段小型化高集成度130W功放载片研制被引量:2
《通讯世界》2019年第6期3-4,共2页倪涛 银军 王毅 余若祺 李剑锋 斛彦生 李晶 
本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μ...
关键词:GAN X波段 高集成度 高增益 小型化 
C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管
《微纳电子技术》2009年第8期460-462,472,共4页邱旭 李剑锋 崔玉兴 余若祺 张博闻 
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(highperformanceFET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压...
关键词:大功率 HPFET 高效率 内匹配 
GaAs高效率高线性大功率晶体管被引量:4
《微纳电子技术》2008年第9期505-507,511,共4页邱旭 崔玉兴 李剑锋 余若祺 张博闻 
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FE...
关键词:大功率 高性能FET 高效率 高线性 内匹配 
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