X波段小型化高集成度130W功放载片研制  

作　　者：倪涛[1] 银军[1] 王毅 余若祺[1] 李剑锋[1] 斛彦生[1] 李晶 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《通讯世界》2019年第6期3-4,共2页Telecom World

摘　　要：本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。

关 键 词：GAN X波段 高集成度 高增益 小型化 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]