X波段1000W大功率内匹配功率器件研制  

作　　者：李剑锋[1] 银军[1] 余若祺[1] 梁青 默江辉[1] 黄雒光[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《通讯世界》2019年第6期1-2,共2页Telecom World

摘　　要：一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效率达到38.9%。

关 键 词：GAN 高功率 高效率 内匹配 功率放大器 X波段 KW 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]