4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制  

作　　者：李剑锋[1] 银军[1] 余若祺[1] 斛彦生[1] 王毅 梁青 倪涛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第6期52-54,共3页Telecom World

摘　　要：基于中国电子科技集团公司第十三研究所0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺平台研制的高压大栅宽芯片,设计了一款4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器,分别进行了管芯设计、大信号模型设计、栅匹配电路设计以及输出匹配电路设计,并对设计出的功率放大器进行制作与测试,测试表明设计出的功率放大器具有优异的性能。

关 键 词：GAN 超宽带 内匹配 功率放大器 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]