邱旭

作品数：7被引量：13H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：内匹配GAAS大功率X波段功率器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《固体电子学研究与进展》《半导体技术》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
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肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响
《半导体技术》2014年第9期674-678,共5页邱旭 吕元杰 王丽 
肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维...
关键词：ALGAN GaN 肖特基势垒高度 金属功函数 二维电子气(2DEG)密度 电子耦合 
GaAs大功率器件内匹配技术研究被引量：2
《半导体技术》2010年第8期780-783,共4页邱旭 
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用。通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参...
关键词：内匹配技术 大功率 砷化镓场效应晶体管 大信号模型 
C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管
《微纳电子技术》2009年第8期460-462,472,共4页邱旭 李剑锋 崔玉兴 余若祺 张博闻 
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹配，实现了器件的大功率输出；通过提高栅-漏击穿电压...
关键词：大功率 HPFET 高效率 内匹配 
GaAs高效率高线性大功率晶体管被引量：4
《微纳电子技术》2008年第9期505-507,511,共4页邱旭 崔玉兴 李剑锋 余若祺 张博闻 
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET（high performance FE...
关键词：大功率 高性能FET 高效率 高线性 内匹配 
X波段30W内匹配GaNHEMT功率器件被引量：2
《固体电子学研究与进展》2008年第4期493-496,共4页李静强 杨瑞霞 冯震 邱旭 王勇 冯志红 默江辉 杨克武 张志国 
天津市自然科学基金资助项目(项目编号:07JCZDJC06100);河北省自然科学基金资助项目(项目编号:F2007000098)
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8GHz下测试,饱和输出功率为30W,...
关键词：氮化铱 高迁移率晶体管 阻抗 内匹配 
内匹配型Ku波段8W功率器件被引量：1
《电子器件》2007年第4期1252-1254,共3页吴小帅 杨瑞霞 何大伟 邱旭 杨克武 
已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0-14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18dBm,功率增益Gp〉7 dB,功率附...
关键词：器件 内匹配 PHEMT 栅挖槽 
X波段GaAs单片五位数字移相器被引量：4
《电子器件》2003年第2期229-232,共4页申华军 杨瑞霞 王同祥 吴阿惠 谢媛媛 邱旭 
设计并制作了X波段五位GaAs MMIC(微波单片集成电路)数字移相器,采用MESFET作为开关元件,五个移相位线性级联布置。在9～10GHz的频率范围内,用HP-8510网络分析仪测试得到的微波性能表明:移相器的插入损耗为(7.2±1)dB,RMS(均方根)相位...
关键词：X波段 MMIC 移相器 
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