何大伟

作品数：2被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：内匹配KU波段PHEMT功率器件挖槽更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子器件》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
内匹配型Ku波段8W功率器件被引量：1
《电子器件》2007年第4期1252-1254,共3页吴小帅 杨瑞霞 何大伟 邱旭 杨克武 
已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0-14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18dBm,功率增益Gp〉7 dB,功率附...
关键词：器件 内匹配 PHEMT 栅挖槽 
13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1104-1106,共3页吴小帅 杨瑞霞 阎德立 刘岳巍 贾科进 何大伟 杨克武 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2007000098)~~
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管...
关键词：器件 内匹配 HFET 功率合成 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部