13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件  

13.7～14.5GHz Internally-Matched GaAs High Power Device

作　　者：吴小帅[1] 杨瑞霞[2] 阎德立[3] 刘岳巍[3] 贾科进[2] 何大伟[1] 杨克武[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [3]石家庄铁道学院电气分院,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第7期1104-1106,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2007000098)~~

摘　　要：经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB.A 19.2mm gate-width GaAs power HFET has been fabricated with improvements in the technology of device structure and passivation. The internally-matched device with two chips yields an output power greater than 42dBm（15.8W） with more than 7dB power gain,more than 35% PAE,and more than 90% co-efficiency across the band of 13.7~14.5GHz with Vds = 9V and Pin = 35dBm. At 14. 3GHz,an output power of 42.54dBm （17. 9W） and power gain of 7.54dB were achieved.

关 键 词：器件 内匹配 HFET 功率合成 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]