刘岳巍

作品数：5被引量：1H指数：0
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供职机构：石家庄铁道大学更多>>
发文主题：比接触电阻欧姆接触FFTDSP非线性负载更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术建筑科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《河北工业大学学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金更多>>
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一种新型小型化Ka波段波导带通滤波器的研制
《半导体技术》2011年第7期545-548,共4页陈宏江 杜小霏 刘岳巍 王晓会 
设计了一种新型的小型化Ka波段波导带通滤波器。为了增加滤波器的带外抑制能力,在波导带通滤波器中设计插入了一个销钉。通过分析波导中销钉的等效电路,对加入销钉的滤波器进行了电磁场仿真设计。仿真结果表明,插入销钉的滤波器在高端...
关键词：KA波段 波导带通滤波器 传输零点 销钉 电磁场仿真软件 
GaN外延材料测试技术的研究
《半导体技术》2008年第5期422-424,共3页刘岳巍 陈宏江 高蒙 张志国 高金环 闫德利 杨勇 
分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 霍尔测试 原子力显微镜 
13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1104-1106,共3页吴小帅 杨瑞霞 阎德立 刘岳巍 贾科进 何大伟 杨克武 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2007000098)~~
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管...
关键词：器件 内匹配 HFET 功率合成 
InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制
《Journal of Semiconductors》2007年第4期573-575,共3页高金环 杨瑞霞 武一宾 刘岳巍 商耀辉 杨克武 
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国...
关键词：共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 峰-谷电流比 
GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究被引量：1
《河北工业大学学报》2006年第2期52-55,共4页刘岳巍 杨瑞霞 武一宾 陈昊 
河北省自然科学基金(F2004000078)
研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有...
关键词：GAN HEMT 欧姆接触 比接触电阻 光学显微镜 
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