非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长  

Highly C-axis Oriented LiNbO_3 Thin Film on Amorphous SiO_2 Buffer Layer by PLD

作　　者：何军辉[1] 朱骏[1] 毛翔宇[1] 陈小兵[1] 叶志镇[2] 

机构地区：[1]扬州大学物理科学与技术学院 [2]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期434-436,共3页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金"光电信息功能材料"重要研究计划面上项目(90101009);浙江自然科学基金(502067)

摘　　要：利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态Si O2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的Li NbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对Li NbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析,确定了薄膜c轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态Si O2过渡层上的Li NbO3薄膜由尺度约为150×150nm的四方柱状c轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.此外,对于Li NbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Vol mer模式.LiNbO_3 films with highly c-axis orientation and superior crystallographic quality have been deposited on the amorphous SiO_2 buffer layer of Si wafer by pulsed laser deposition (PLD) technique. X-ray diffraction, high-resolution electron transmission microscopy and atomic force microscopy were applied to characterize the quality and orientation of LiNbO_3 thin film, and the optimized deposition conditions have been determined for c-axis oriented growth. LiNbO_3 thin films on amorphous SiO_2 buffer layer we...

关 键 词：LiNbO_3薄膜 C轴取向 光波导 PLD技术 硅基 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]