稀磁半导体研究的最新进展  

Recent development on diluted magnetic semiconductors

作　　者：李东[1] 王耘波[1] 于军[1] 王宝义[1] 魏龙[1] 

机构地区：[1]华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074 中国科学院高能物理所,核分析技术重点实验室,北京,100039 中国科学院高能物理所,核分析技术重点实验室,北京,100039

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1110-1115,共6页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60171012);中科院核分析技术国家开发实验室基金项目(K-96)

摘　　要：本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.

关 键 词：稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法 

分 类 号：TM303[电气工程—电机]