Mn注入n型Ge单晶的磁性研究  

Magnetic study of Mn-impanted n-type Ge single crystal

作　　者：刘力锋[1] 陈诺夫[1,2] 尹志岗[1] 杨霏[1] 周剑平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 [2]中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1219-1221,1224,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365)

摘　　要：利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.

关 键 词：离子注入 铁磁性 MnxGe1-x 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]